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CY7C1021BNV33L-15ZI

更新时间： 2024-11-23 05:18:59
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
10页 533K
描述
64K x 16 Static RAM

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CY7C1021BNV33L-15ZI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2-44
针数：44Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.81最长访问时间：15 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.415 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.194 mm最大待机电流：0.0001 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.16 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1021BNV33L-15ZI 数据手册

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CY7C1021BNV33  
64K x 16 Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• 3.3V operation (3.0V–3.6V)  
The CY7C1021BNV is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 65,536 words by 16 bits. This device has an  
automatic power-down feature that significantly reduces  
power consumption when deselected.  
• High speed  
— tAA = 10, 12, 15 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low Active Power (L version)  
— 576 mW (max.)  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. If Byte Low Enable  
(BLE) is LOW, then data from I/O pins (I/O1 through I/O8), is  
written into the location specified on the address pins (A0  
through A15). If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data  
from I/O pins (I/O9 through I/O16) is written into the location  
specified on the address pins (A0 through A15).  
• Low CMOS Standby Power (L version)  
— 1.80 mW (max.)  
• Automatic power-down when deselected  
• Independent control of upper and lower bits  
• Available in 44-pin TSOP II and 400-mil SOJ  
• Available in a 48-Ball Mini BGA package  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing the  
Write Enable (WE) HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW,  
then data from the memory location specified by the address  
pins will appear on I/O1 to I/O8. If Byte High Enable (BHE) is  
LOW, then data from memory will appear on I/O9 to I/O16. See  
the truth table at the back of this data sheet for a complete  
description of read and write modes.  
The input/output pins (I/O1 through I/O16) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected  
(CE HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), the BHE and  
BLE are disabled (BHE, BLE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
The CY7C1021BNV is available in 400-mil-wide SOJ,  
standard 44-pin TSOP Type II, and 48-ball mini BGA  
packages.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ / TSOP II  
DATA IN DRIVERS  
Top View  
44  
1
A
A
5
4
43  
42  
41  
40  
39  
38  
A
A
6
2
3
4
5
6
3
A
A
2
7
A7  
A6  
OE  
A
1
BHE  
BLE  
I/O  
A
0
A5  
A4  
A3  
A2  
64K x 16  
CE  
I/O1–I/O8  
RAM Array  
512 X 2048  
I/O  
7
1
16  
37  
36  
35  
34  
33  
I/O  
I/O  
8
I/O  
I/O  
I/O  
2
3
15  
14  
13  
I/O9–I/O16  
9
A1  
A0  
10  
11  
12  
13  
I/O  
4
VSS  
VCC  
VSS  
VCC  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
32  
I/O  
5
12  
11  
10  
9
31  
30  
29  
28  
I/O  
6
14  
15  
16  
I/O  
7
COLUMN DECODER  
I/O  
8
WE 17  
NC  
18  
27  
26  
25  
A
A
8
15  
BHE  
19  
A
A
14  
9
WE  
CE  
OE  
A
A
12  
NC  
20  
21  
22  
A
11  
NC  
13  
10  
A
24  
23  
BLE  
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06433 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 1, 2006  
[+] Feedback  
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与CY7C1021BNV33L-15ZI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1021BNV33L-15ZIT CYPRESS

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