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CY7C1019D-12ZXI PDF预览

CY7C1019D-12ZXI

更新时间： 2024-11-14 18:41:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 196K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, TSOP2-32

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CY7C1019D-12ZXI 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP32,.46针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.74
最长访问时间：12 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e3
长度：20.95 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP32,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.003 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

CY7C1019D-12ZXI 数据手册

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CY7C1019D  
PRELIMINARY  
1-Mbit (128K x 8) Static RAM  
Features  
Functional Description[1]  
• Pin- and function-compatible with CY7C1019B  
• High speed  
The CY7C1019D is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 131,072 words by 8 bits. Easy memory  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an  
active LOW Output Enable (OE), and tri-state drivers. This  
device has an automatic power-down feature that significantly  
reduces power consumption when deselected.  
— tAA = 10 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight  
I/O pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location  
specified on the address pins (A0 through A16).  
— ICC = 60 mA @ 10 ns  
• Low CMOS standby power  
— ISB2 = 1.2 mA (‘L’ Version only)  
• Data Retention at 2.0V  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Center power/ground pinout  
• Automatic power-down when deselected  
• Easy memory expansion with CE and OE options  
• Functionally equivalent to CY7C1019B  
• Available in Pb-Free Packages  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
The CY7C1019D is available in standard 32-pin TSOP Type  
II and 400-mil-wide SOJ Pb-Free packages.  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
/TSOPII  
SOJ  
Top View  
A
A
1
A
A
32  
1
0
16  
31  
30  
2
3
4
5
6
15  
A
2
A
14  
A
13  
A
29  
28  
3
I/O  
0
CE  
I/O  
OE  
I/O  
I/O  
6
INPUT BUFFER  
27  
26  
0
7
I/O  
I/O  
1
2
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
I/O  
7
1
25  
24  
23  
22  
21  
V
V
8
9
10  
11  
12  
13  
V
V
CC  
I/O  
5
I/O  
CC  
SS  
SS  
I/O  
3
I/O  
4
I/O  
5
512 x 256 x 8  
ARRAY  
I/O  
I/O  
2
3
4
A
A
A
WE  
12  
11  
A
4
20  
19  
A
5
10  
I/O  
14  
15  
16  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
A
6
A
9
A
8
18  
17  
I/O  
A
7
OE  
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 38-05464 Rev. *C  
•
3901 North First Street  
•
San Jose, CA 95134  
•
408-943-2600  
Revised January 11, 2005  
1234567...9

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与CY7C1019D-12ZXI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1019DL-10VXC CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32
CY7C1019DL-10ZXI CYPRESS

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 		Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32
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