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CY7C1019BV33-15VIT

更新时间： 2024-01-28 14:09:00

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赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	225K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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CY7C1019BV33-15VIT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.21
最长访问时间：	15 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J32
长度：	20.955 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.7592 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY7C1019BV33-15VIT 数据手册

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CY7C1019BV33

CY7C1018BV33

Switching Waveforms (continued)

Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)^[13]

ADDRESS

SCE

PWE

NOTE 14

DATA I/O

DATA VALID

LZWE

HZWE

Truth Table

I/O₀–I/O₇

Mode

Power

High Z

Power-Down

Read

Standby (I_SB

Active (I_CC

)

Data Out

Data In

High Z

)

Write

)

Selected, Outputs Disabled

)

Ordering Information

Speed

(ns)

Package

Name

Operating

Range

Ordering Code

CY7C1018V33-10VC

Package Type

V32

V33

V32

V33

V32

V33

32-Lead 300-Mil Molded SOJ

32-Lead 400-Mil Molded SOJ

32-Lead 300-Mil Molded SOJ

32-Lead 400-Mil Molded SOJ

32-Lead 300-Mil Molded SOJ

32-Lead 400-Mil Molded SOJ

Commercial

CY7C1019BV33-10VC

CY7C1018BV33-12VC

CY7C1018BV33L-12VC

CY7C1019BV33-12VC

CY7C1019BV33L-12VC

CY7C1018BV33-15VC

CY7C1018BV33L-15VC

CY7C1018BV33-15VI

CY7C1019BV33-15VC

CY7C1019BV33L-15VC

CY7C1019BV33-15VI

Industrial

Document #: 38-01053-*B

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