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CY7C1006B-12VC

更新时间： 2024-11-06 22:06:39
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
10页 164K
描述
256K x 4 Static RAM

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CY7C1006B-12VC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, SOJ-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.86最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0长度：17.907 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：28
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：256KX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ28,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：220
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.556 mm最大待机电流：0.00025 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.165 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.5057 mmBase Number Matches：1

CY7C1006B-12VC 数据手册

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1CY7C1006B  
CY7C106B  
CY7C1006B  
256K x 4 Static RAM  
Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and  
three-state drivers. These devices have an automatic pow-  
er-down feature that reduces power consumption by more  
than 65% when the devices are deselected.  
Features  
• High speed  
— tAA = 12 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
Writing to the devices is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the four I/O  
pins (I/O0 through I/O3) is then written into the location speci-  
fied on the address pins (A0 through A17).  
— 495 mW  
• Low standby power  
— 275 mW  
Reading from the devices is accomplished by taking Chip En-  
able (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the four I/O pins.  
• 2.0V data retention (optional)  
— 100 µW  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
The four input/output pins (I/O0 through I/O3) are placed in a  
high-impedance state when the devices are deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE and WE LOW).  
Functional Description  
The CY7C106B and CY7C1006B are high-performance  
CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip  
The CY7C106B is available in a standard 400-mil-wide SOJ;  
the CY7C1006B is available in a standard 300-mil-wide SOJ.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
A
V
CC  
0
A
A
17  
A
16  
A
15  
1
A
2
3
A
25  
24  
A
A
14  
A
13  
A
12  
4
23  
22  
A
5
A
7
8
9
10  
11  
12  
13  
6
A
21  
20  
19  
18  
17  
A
7
11  
INPUTBUFFER  
A
NC  
I/O  
8
A
9
3
2
1
A
1
A
10  
I/O  
I/O  
I/O  
A
A
3
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
CE  
OE  
GND  
2
3
2
1
0
16  
15  
0
14  
WE  
A
4
A
5
512 x 512 x 4  
ARRAY  
C106B–2  
A
6
A
7
A
8
A
9
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
OE  
C106B–1  
Selection Guide  
7C106B-12  
7C1006B-12  
7C106B-15  
7C1006B-15  
7C106B-20  
7C1006B-20  
7C106B-25  
7C1006B-25  
7C106B-35  
Maximum Access Time (ns)  
12  
90  
15  
80  
20  
75  
25  
70  
35  
60  
Maximum Operating  
Current (mA)  
Maximum Standby  
Current (mA)  
50  
30  
30  
30  
25  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05037 Rev. **  
Revised August 24, 2001  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1006B-12VCT CYPRESS

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