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CY7C1006BN-15VCT PDF预览

CY7C1006BN-15VCT

更新时间： 2024-11-09 19:21:15
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 353K
描述
Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, MO-088, SOJ-28

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CY7C1006BN-15VCT 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.35
最长访问时间：15 nsJESD-30 代码：R-PDSO-J28
JESD-609代码：e0长度：17.907 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：4功能数量：1
端子数量：28字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：TIN LEAD端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：7.5057 mmBase Number Matches：1

CY7C1006BN-15VCT 数据手册

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CY7C106BN  
CY7C1006BN  
256K x 4 Static RAM  
Features  
Functional Description  
The CY7C106BN and CY7C1006BN are high-performance  
CMOS static RAMs organized as 262,144 words by 4 bits.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip  
Enable (CE), an active LOW Output Enable (OE), and  
three-state drivers. These devices have an automatic  
power-down feature that reduces power consumption by more  
than 65% when the devices are deselected.  
• High speed  
— tAA = 15 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Low active power  
— 495 mW  
• Low standby power  
— 275 mW  
Writing to the devices is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the four I/O  
pins (I/O0 through I/O3) is then written into the location  
specified on the address pins (A0 through A17).  
• 2.0V data retention (optional)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
Reading from the devices is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the four I/O pins.  
The four input/output pins (I/O0 through I/O3) are placed in a  
high-impedance state when the devices are deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE and WE LOW).  
The CY7C106BN is available in a standard 400-mil-wide SOJ;  
the CY7C1006BN is available in a standard 300-mil-wide SOJ.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
A
1
V
CC  
0
A
A
17  
A
A
15  
2
16  
A
25  
24  
A
3
A
A
4
14  
23  
22  
A
A
5
13  
A
A
12  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
6
21  
20  
19  
18  
17  
A
A
7
11  
INPUTBUFFER  
A
NC  
I/O  
8
A
9
10  
3
2
1
A
1
A
I/O  
I/O  
I/O  
A
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
2
3
CE  
A
16  
15  
3
OE  
0
14  
A
GND  
WE  
4
2
1
0
A
5
512 x 512 x 4  
ARRAY  
A
6
A
7
A
8
A
9
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06429 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 1, 2006  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1006D CYPRESS

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