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CY62256NLL-55ZXIT

更新时间： 2024-11-25 19:00:59
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 408K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, LEAD FREE, TSOP1-28

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CY62256NLL-55ZXIT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSOP1, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：7.65
最长访问时间：55 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e4
长度：11.8 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00001 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CY62256NLL-55ZXIT 数据手册

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CY62256N  
256-Kbit (32 K × 8) Static RAM  
256-Kbit (32  
K × 8) Static RA  
Features  
Functional Description  
■ Temperature ranges  
The CY62256N is a high performance CMOS static RAM  
organized as 32K words by 8 bits. Easy memory expansion is  
provided by an active LOW chip enable (CE) and active LOW  
output enable (OE) and tristate drivers. This device has an  
automatic power-down feature, reducing the power consumption  
by 99.9 percent when deselected.  
❐ Commercial: 0 °C to +70 °C  
❐ Industrial: –40 °C to +85 °C  
❐ Automotive-A: –40 °C to +85 °C  
❐ Automotive-E: –40 °C to +125 °C  
■ High speed: 55 ns  
An active LOW write enable signal (WE) controls the  
writing/reading operation of the memory. When CE and WE  
inputs are both LOW, data on the eight data input/output pins  
(I/O0 through I/O7) is written into the memory location addressed  
by the address present on the address pins (A0 through A14).  
Reading the device is accomplished by selecting the device and  
enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE remains  
inactive or HIGH. Under these conditions, the contents of the  
location addressed by the information on address pins are  
present on the eight data input/output pins.  
■ Voltage range: 4.5 V to 5.5 V operation  
■ Low active power  
❐ 275 mW (max)  
■ Low standby power (LL version)  
❐ 82.5 W (max)  
■ Easy memory expansion with CE and OE Features  
■ TTL-compatible inputs and outputs  
The input/output pins remain in a high impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and write enable (WE)  
is HIGH.  
■ Automatic power-down when deselected  
■ CMOS for optimum speed and power  
For a complete list of related documentation, click here.  
■ Available in Pb-free and non Pb-free 28-pin (600-mil) PDIP,  
28-pin (300-mil) narrow SOIC, 28-pin TSOP I, and 28-pin  
reverse TSOP I packages  
Logic Block Diagram  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
0
1
2
3
4
5
6
INPUTBUFFER  
A
A
A
10  
9
8
A
7
6
5
A
32K x 8  
ARRAY  
A
A
A
A
4
3
2
CE  
WE  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
7
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-06511 Rev. *J  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised April 28, 2017  
1234567...17

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CY62256NLL-55ZXIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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