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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.300 INCH, SOIC-28 |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.7 | 最长访问时间： | 70 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.39 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP28,.5 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.794 mm |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 最小待机电流： | 2.3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY62256V25-70ZC | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 |
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| CY62256V25L-70SNC | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 |
|
| CY62256V25LL | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM |
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| CY62256V25LL-100ZC | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM |
|
| CY62256V25LL-100ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CY62256V25LL-100ZRC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, REVERSE, TSOP1-28 |
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| CY62256V25LL-70SNC | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28 |
|
| CY62256V25LL-70ZCT | CYPRESS |
获取价格 |
Cache SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 |
|
| CY62256V-55RZC | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM |
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| CY62256V-55SNC | CYPRESS |
获取价格 |
32K x 8 Static RAM |
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