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CY62256NLL-70SNIT

更新时间: 2024-10-02 19:46:39
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 1260K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 0.300 INCH, SOIC-28

CY62256NLL-70SNIT 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:0.300 INCH, SOIC-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.63
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:17.9324 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:32KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:2.794 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.5057 mmBase Number Matches:1

CY62256NLL-70SNIT 数据手册

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