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CY62256NLL-70ZI

更新时间: 2024-10-02 19:46:39
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 1260K
描述
32KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

CY62256NLL-70ZI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP
包装说明:8 X 13.40 MM, TSOP1-28针数:28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.39
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G28
JESD-609代码:e0长度:11.8 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:NOT SPECIFIED
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:8 mm
Base Number Matches:1

CY62256NLL-70ZI 数据手册

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