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Datasheet > 微控制器和处理器 > 时钟发生器> CY29350AIT
CY29350AIT PDF预览

CY29350AIT

更新时间： 2024-02-04 00:15:16
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 晶体时钟驱动器时钟发生器微控制器和处理器外围集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 187K
描述
2.5V or 3.3V, 200-MHz, 9-Output Clock Driver

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CY29350AIT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：7 X 7 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, TQFP-32
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.75Is Samacsys：N
其他特性：OPERATES AT 2.5 V MINIMUM SUPPLY AT 190MHZ, 95 MHZ, 47.5 MHZJESD-30 代码：S-PQFP-G32
长度：7 mm端子数量：32
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出时钟频率：200 MHz封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TQFP封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, THIN PROFILE主时钟/晶体标称频率：31.25 MHz
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压：3.465 V最小供电电压：3.135 V
标称供电电压：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：QUAD宽度：7 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型：CLOCK GENERATOR, OTHERBase Number Matches：1

CY29350AIT 数据手册

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CY29350  
Absolute Maximum Conditions  
Parameter  
VDD  
VDD  
VIN  
VOUT  
VTT  
Description  
DC Supply Voltage  
DC Operating Voltage  
DC Input Voltage  
DC Output Voltage  
Output termination Voltage  
Latch Up Immunity  
Condition  
Functional  
Relative to VSS  
Relative to VSS  
Min.  
–0.3  
2.375  
–0.3  
–0.3  
Max.  
5.5  
3.465  
VDD + 0.3  
VDD + 0.3  
Unit  
V
V
V
V
V
mA  
mVp-p  
°C  
°C  
°C  
VDD ÷ 2  
LU  
Functional  
200  
RPS  
TS  
TA  
TJ  
ØJC  
ØJA  
Power Supply Ripple  
Temperature, Storage  
Ripple Frequency < 100 kHz  
Non-functional  
Functional  
Functional  
Functional  
150  
–65  
–40  
+150  
+85  
+150  
42  
Temperature, Operating Ambient  
Temperature, Junction  
Dissipation, Junction to Case  
Dissipation, Junction to Ambient  
ESD Protection (Human Body Model)  
Failure in Time  
°C/W  
°C/W  
Volts  
ppm  
Functional  
105  
ESDH  
FIT  
2000  
Manufacturing test  
10  
Typ.  
DC Electrical Specifications (VDD = 2.5V ± 5%, TA = –40°C to +85°C)  
Parameter Description Condition  
VIL Input Voltage, Low  
Min.  
–
1.7  
–
1.8  
–
–
–
–
–
–
Max.  
0.7  
VDD+0.3  
0.6  
–
–100  
100  
10  
7
Unit  
V
V
V
V
µA  
µA  
mA  
mA  
mA  
LVCMOS  
LVCMOS  
IOL = 15mA  
IOH = –15mA  
VIL = VSS  
VIL = VDD  
AVDD only  
All VDD pins except AVDD  
Outputs loaded @ 100 MHz  
Outputs loaded @ 200 MHz  
–
–
–
–
–
–
5
–
VIH  
VOL  
VOH  
IIL  
Input Voltage, High  
Output Voltage, Low[4]  
Output Voltage, High[4]  
Input Current, Low[5]  
Input Current, High[5]  
PLL Supply Current  
IIH  
IDDA  
IDDQ  
IDD  
Quiescent Supply Current  
Dynamic Supply Current  
180  
210  
4
–
–
–
CIN  
ZOUT  
Input Pin Capacitance  
Output Impedance  
–
14  
pF  
Ω
18  
22  
DC Electrical Specifications (VDD= 3.3V ± 5%, TA = –40°C to +85°C)  
Parameter Description Condition  
VIL Input Voltage, Low  
Min.  
–
2.0  
–
Typ.  
–
–
–
–
–
–
–
5
Max.  
0.8  
VDD+0.3  
0.55  
0.30  
–
–100  
100  
10  
7
Unit  
V
V
LVCMOS  
LVCMOS  
VIH  
VOL  
Input Voltage, High  
Output Voltage, Low[4]  
IOL = 24 mA  
V
IOL = 12 mA  
IOH = –24 mA  
VIL = VSS  
VIL = VDD  
–
VOH  
IIL  
IIH  
IDDA  
IDDQ  
IDD  
Output Voltage, High[4]  
Input Current, Low[5]  
Input Current, High[5]  
PLL Supply Current  
Quiescent Supply Current  
Dynamic Supply Current  
2.4  
––  
–
–
–
–
–
–
12  
V
µA  
µA  
mA  
mA  
mA  
AVDD only  
All VDD pins except AVDD  
Outputs loaded @ 100 MHz  
Outputs loaded @ 200 MHz  
–
270  
300  
4
–
–
–
18  
CIN  
ZOUT  
Notes:  
Input Pin Capacitance  
Output Impedance  
pF  
Ω
15  
4. Driving one 50Ω parallel terminated transmission line to a termination voltage of V . Alternatively, each output drives up to two 50Ω series terminated  
TT  
transmission lines.  
5. Inputs have pull-up or pull-down resistors that affect the input current.  
Document #: 38-07474 Rev. *A  
Page 3 of 7  
1234567

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