是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 针数: | 44 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.45 |
最长访问时间: | 25 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G44 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 18.415 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 44 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP44,.46,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.194 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY14B256LA-ZS25XI | CYPRESS |
完全替代 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-ZS45XI | CYPRESS |
功能相似 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14B256LA-ZS45XI | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-ZS45XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP25XC | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP25XCT | CYPRESS |
获取价格 |
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP25XI | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP25XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP35XC | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP35XCT | CYPRESS |
获取价格 |
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP35XI | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP35XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM |