是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.45 | 最长访问时间: | 25 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20.726 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.54 mm | 最大待机电流: | 0.003 A |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 7.5057 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY14B256L-SZ25XIT | CYPRESS |
功能相似 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ25XC | CYPRESS |
功能相似 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14B256L-SZ25XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ35XC | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ35XCT | CYPRESS |
获取价格 |
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ35XI | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ35XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ45XC | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ45XCT | CYPRESS |
获取价格 |
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ45XI | CYPRESS |
获取价格 |
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SZ45XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256P | CYPRESS |
获取价格 |
256-Kbit (32 K × 8) Serial (SPI) with nvSRAM |