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CY14B256L-SZ35XC PDF预览

CY14B256L-SZ35XC

更新时间： 2024-11-19 06:51:31
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 642K
描述
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM

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CY14B256L-SZ35XC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, MO-119, SOIC-32
针数：32Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.75
最长访问时间：35 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e3长度：20.726 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP32,.4封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3/3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.54 mm
最大待机电流：0.003 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.055 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：7.5057 mm

CY14B256L-SZ35XC 数据手册

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CY14B256L  
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM  
Features  
Functional Description  
■
■
■
25 ns, 35 ns, and 45 ns access times  
Pin compatible with STK14D88  
The Cypress CY14B256L is a fast static RAM with a nonvolatile  
element in each memory cell. The embedded nonvolatile  
elements incorporate QuantumTrap technology producing the  
world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides  
unlimited read and write cycles, while independent, nonvolatile  
data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data  
transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the  
STORE operation) takes place automatically at power down. On  
power up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation)  
from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL  
operations are also available under software control. A hardware  
STORE is initiated with the HSB pin.  
Hands off automatic STORE on power down with only a small  
capacitor  
■
STORE to QuantumTrap™ nonvolatile elements is initiated by  
software, hardware, or AutoStore™ on power down  
■
■
■
■
■
■
■
■
RECALL to SRAM initiated by software or power up  
Unlimited READ, WRITE, and RECALL cycles  
200,000 STORE cycles to QuantumTrap  
20 year data retention at 55°C  
Single 3V +20%, –10% operation  
Commercial and industrial temperature  
32-pin (300 mil) SOIC and 48-pin (300 mil) SSOP packages  
RoHS compliance  
Logic Block Diagram  
V
CC  
V
CAP  
Quantum Trap  
512 X 512  
POWER  
CONTROL  
A5  
STORE  
A6  
A7  
A8  
RECALL  
STORE/  
RECALL  
CONTROL  
STATIC RAM  
ARRAY  
512 X 512  
HSB  
A9  
A11  
A12  
A13  
A14  
SOFTWARE  
DETECT  
A13  
-
A0  
DQ0  
COLUMN I/O  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
COLUMN DEC  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
A0  
A4  
A10  
A1  
A3  
A2  
OE  
CE  
WE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-06422 Rev. *H  
•
198 Champion Court  
•
San Jose  
,
CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised January 30, 2009  
[+] Feedback  
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CY14B256L-SZ35XC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY14B256L-SZ35XCT CYPRESS

完全替代

 256-Kbit (32K x 8) nvSRAM
CY14B256L-SZ35XI CYPRESS

类似代替

 256 Kbit (32K x 8) nvSRAM
STK14D88-NF35 CYPRESS

功能相似

 Non-Volatile SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, 0.050 INCH PITCH, ROHS COMPLIANT

与CY14B256L-SZ35XC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY14B256L-SZ35XCT CYPRESS

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 		256-Kbit (32K x 8) nvSRAM
CY14B256L-SZ35XI CYPRESS

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CY14B256L-SZ35XIT CYPRESS

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 		256-Kbit (32K x 8) nvSRAM
CY14B256P CYPRESS

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 		256-Kbit (32 K × 8) Serial (SPI) with nvSRAM
CY14B256P_1106 CYPRESS

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 		256-Kbit (32 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM with Real Time Clock
CY14B256P_13 CYPRESS

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 		256-Kbit (32 K x 8) Serial (SPI) nvSRAM with Real Time Clock

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