Datasheet > 存储 > SRAM> CY14B256Q2A-SXIT

CY14B256Q2A-SXIT

更新时间： 2024-02-28 01:41:38

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
33页	1188K
描述
256-Kbit (32 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles

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CY14B256Q2A-SXIT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	LSOP, SOP8,.25	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e4
长度：	4.889 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行：	SERIAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.549 mm	最大待机电流：	0.00015 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	3.8985 mm
Base Number Matches：	1

CY14B256Q2A-SXIT 数据手册

CY14C256Q

CY14B256Q

CY14E256Q

256-Kbit (32 K × 8) SPI nvSRAM

256-Kbit (32

K × 8) SPI nvSRAM

■ Industry standard configurations

❐ Operating voltages:

Features

■ 256-Kbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)

• CY14C256Q: V_CC= 2.4 V to 2.6 V

• CY14B256Q: V_CC= 2.7 V to 3.6 V

• CY14E256Q: V_CC= 4.5 V to 5.5 V

❐ Industrial temperature

❐ 8- and 16-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

❐ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

internally organized as 32 K × 8

❐ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated

automatically on power-down (AutoStore) or by using SPI

instruction (Software STORE) or HSB pin (Hardware

STORE)

❐ RECALL to SRAM initiated on power-up (Power-Up

RECALL) or by SPI instruction (Software RECALL)

Functional Overview

❐ Support automatic STORE on power-down with a small

capacitor (except for CY14X256Q1A)

The Cypress CY14X256Q combines a 256-Kbit nvSRAM^[1]with

a nonvolatile element in each memory cell with serial SPI

interface. The memory is organized as 32 K words of 8 bits each.

The embedded nonvolatile elements incorporate the

QuantumTrap technology, creating the world’s most reliable

nonvolatile memory. The SRAM provides infinite read and write

cycles, while the QuantumTrap cells provide highly reliable

nonvolatile storage of data. Data transfers from SRAM to the

nonvolatile elements (STORE operation) takes place automati-

cally at power-down (except for CY14X256Q1A). On power-up,

data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory

(RECALL operation). You can also initiate the STORE and

RECALL operations through SPI instruction.

■ High reliability

❐ Infinite read, write, and RECALL cycles

❐ 1million STORE cycles to QuantumTrap

❐ Data retention: 20 years at 85 C

■ 40 MHz, and 104 MHz High speed serial peripheral interface

(SPI)

❐ 40 MHz clock rate SPI write and read with zero cycle delay

❐ 104 MHz clock rate SPI write and SPI read (with special fast

read instructions)

❐ Supports SPI mode 0 (0,0) and mode 3 (1,1)

■ SPI access to special functions

❐ Nonvolatile STORE/RECALL

❐ 8-byte serial number

❐ Manufacturer ID and Product ID

❐ Sleep mode

Configuration

Feature

CY14X256Q1A CY14X256Q2A CY14X256Q3A

AutoStore

Yes

■ Write protection

Software

STORE

Yes

❐ Hardware protection using Write Protect (WP) pin

❐ Software protection using Write Disable instruction

❐ Software block protection for 1/4, 1/2, or entire array

Hardware

STORE

Yes

■ Low power consumption

❐ Average active current of 3 mA at 40 MHz operation

❐ Average standby mode current of 150 A

❐ Sleep mode current of 8 A

V_CCV_CAP

Logic Block Diagram

Serial Number

8 x 8

Power Control

Block

Manufacture ID/

Product ID

QuantrumTrap

32 K x 8

SLEEP

STORE

SRAM

32 K x 8

RDSN/WRSN/RDID

Memory

Data &

Address

Control

RECALL

READ/WRITE

SPI Control Logic

Write Protection

Instruction decoder

STORE/RECALL/ASENB/ASDISB

SCK

WRSR/RDSR/WREN

Status Register

Note

1. This device will be referred to as nvSRAM throughout the document.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-65282 Rev. *B

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised May 3, 2011

12 3 4 5 6 7...33

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CY14B256Q2A-SXIT 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CY14B256Q2A-SXI	CYPRESS	完全替代	256-Kbit (32 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
CY14B256Q1A-SXIT	CYPRESS	完全替代	256-Kbit (32 K x 8) SPI nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles
CY14B256I-SFXI	CYPRESS	类似代替	256-Kbit (32 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock Full-featured RTC

与CY14B256Q2A-SXIT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14B256Q2-LHXI	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14B256Q2-LHXI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14B256Q2-LHXIT	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14B256Q3	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14B256Q3-SFXI	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14B256Q3-SFXIT	CYPRESS	获取价格	256-Kbit (32 K × 8) Serial (SPI) nvSRAM
CY14B512I	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock
CY14B512I-SFXI	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock
CY14B512I-SFXIT	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock
CY14B512J	CYPRESS	获取价格	512-Kbit (64 K x 8) Serial (I2C) nvSRAM Infinite read, write, and RECALL cycles

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