Datasheet > 存储 > SRAM> CY14B256L-SP25XCT

CY14B256L-SP25XCT

更新时间： 2024-11-23 04:13:19

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM

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CY14B256L-SP25XCT 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SSOP	包装说明：	0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, SSOP-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.47	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	25 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e4	长度：	15.875 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SSOP
封装等效代码：	SSOP48,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.794 mm
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	7.5057 mm	Base Number Matches：	1

CY14B256L-SP25XCT 数据手册

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PRELIMINARY

CY14B256L

256-Kbit (32K x 8) nvSRAM

Features

Functional Description

• 25 ns, 35 ns, and 45 ns access times

The Cypress CY14B256L is a fast static RAM with a nonvol-

atile element in each memory cell. The embedded nonvolatile

elements incorporate QuantumTrap technology producing the

world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides

infinite read and write cycles while independent, nonvolatile

data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data

transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the

STORE operation) takes place automatically at power down.

On power up, data is restored to the SRAM (the RECALL

operation) from the nonvolatile memory. The STORE and

RECALL operations are also available under software control.

• “Hands-off” automatic STORE on power down with only a

small capacitor

• STORE to QuantumTrap™ nonvolatile elements is initiated

by software, device pin, or AutoStore™ on power down

• RECALL to SRAM initiated by software or power up

• Infinite READ, WRITE, and RECALL cycles

• 10 mA typical I_CCat 200 ns cycle time

• 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

• 20-year data retention @ 55°C

• Single 3V operation with tolerance of +15%, –10%

• Commercial and industrial temperature

• SOIC and SSOP packages

• RoHS compliance

Logic Block Diagram

CAP

QuantumTrap

512 X 512

POWER

CONTROL

A₅

STORE

A₆

A₇

A₈

RECALL

STORE/

RECALL

CONTROL

STATIC RAM

ARRAY

512 X 512

HSB

A₉

A₁₁

A₁₂

A₁₃

A₁₄

SOFTWARE

DETECT

A₁₃

A₀

DQ₀

COLUMN IO

DQ₁

DQ₂

DQ₃

COLUMN DEC

DQ₄

DQ₅

DQ₆

DQ₇

A₀

A₄

A₁₀

A₁

A₃

A₂

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-06422 Rev. *E

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised January 27, 2007

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