是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SSOP | 包装说明: | SSOP, SSOP48,.4 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.98 |
最长访问时间: | 25 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G48 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 15.875 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 32KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SSOP |
封装等效代码: | SSOP48,.4 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 3/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 2.794 mm |
最大待机电流: | 0.005 A | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.635 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.5057 mm |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CY14B256LA-SP25XIT | CYPRESS |
完全替代 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256L-SP35XCT | CYPRESS |
完全替代 |
256-Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-SP45XI | CYPRESS |
类似代替 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY14B256LA-SP25XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-SP25XIT | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B256LA-SP45XI | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-SP45XI | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B256LA-SP45XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-SP45XIT | INFINEON |
获取价格 |
nvSRAM (non-volatile SRAM) | |
CY14B256LA-SZ25XI | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-SZ25XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-SZ45XI | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM | |
CY14B256LA-SZ45XIT | CYPRESS |
获取价格 |
256 Kbit (32K x 8) nvSRAM |