5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > CXT5551TR
CXT5551TR PDF预览

CXT5551TR

更新时间： 2024-02-14 07:33:30
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 100K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

阅读下载

中文翻译

获取价格

CXT5551TR 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.08外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：1.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.2 VBase Number Matches：1

CXT5551TR 数据手册

 浏览型号CXT5551TR的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CXT5551  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551  
type is an NPN silicon transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for high  
voltage amplifier applications.  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
180  
160  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
V
I
600  
C
mA  
Power Dissipation  
P
1.2  
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
A
50  
=4.0V  
50  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
30  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
300  
6.0  
200  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
ob  
fe  
h
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
50  
C
NF  
=5.0V, I =200µA, R =10Ω  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
8.0  
dB  
R3 ( 20-December 2001)  
12

中文翻译

下载PDF

CXT5551TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CXT5551LEADFREE CENTRAL

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CXT5551TRLEADFREE CENTRAL

功能相似

 Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CXT5551 CENTRAL

功能相似

 SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTORS

与CXT5551TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CXT5551TR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CXT5551TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
CXT591E CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
CXT591EBK CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CXT591EBKTIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CXT591ETR CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CXT591ETR13LEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CXT591ETR13PBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CXT591ETR13TIN/LEAD CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CXT591ETRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor

与CXT5551TR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证