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CXT5551TR13LEADFREE

更新时间: 2024-02-26 19:08:40
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CENTRAL 放大器晶体管
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2页 34K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

CXT5551TR13LEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.1外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.6 A基于收集器的最大容量:6 pF
集电极-发射极最大电压:160 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):80JESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN (315)端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.2 V
Base Number Matches:1

CXT5551TR13LEADFREE 数据手册

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