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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CXT5551HC
CXT5551HC PDF预览

CXT5551HC

更新时间： 2024-01-01 10:55:01
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 121K
描述
SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON NPN TRANSISTOR

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CXT5551HC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.2 V
Base Number Matches：1

CXT5551HC 数据手册

 浏览型号CXT5551HC的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CXT5551HC  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
HIGH CURRENT  
SILICON NPN TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551HC  
type is an high current NPN silicon transistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designed for high voltage and high current  
amplifier applications.  
MARKING CODE: FULL PART NUMBER  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
180  
160  
6.0  
1.0  
1.2  
V
V
V
A
CBO  
CEO  
EBO  
I
C
Power Dissipation  
P
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
V
V
V
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
50  
50  
50  
CBO  
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
A
=4.0V  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
I =50mA, I =5.0mA  
I =10mA, I =1.0mA  
I =50mA, I =5.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
C
C
B
B
B
B
V
V
C
h
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
=5.0V, I =10mA  
=5.0V, I =50mA  
=10V, I =1.0A  
=10V, I =10mA, f=100MHz  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
80  
80  
30  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
C
C
V
V
V
V
V
250  
FE  
FE  
FE  
10  
C
C
f
100  
MHz  
pF  
T
C
15  
ob  
R0 (28-January 2005)  
12

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与CXT5551HC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CXT5551HC_10 CENTRAL

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 		SURFACE MOUNT HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR
CXT5551HCBK CENTRAL

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CXT5551HCBKLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor
CXT5551HCBKPBFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CXT5551HCTR CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
CXT5551HCTRLEADFREE CENTRAL

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 		暂无描述
CXT5551LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
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CXT5551-TP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
CXT5551TR CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy

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