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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CXT5551HCBK
CXT5551HCBK PDF预览

CXT5551HCBK

更新时间： 2024-02-17 12:08:11
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管功率双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 104K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

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CXT5551HCBK 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.1外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.6 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN (315)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.2 V
Base Number Matches：1

CXT5551HCBK 数据手册

 浏览型号CXT5551HCBK的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CXT5551  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
NPN SILICON TRANSISTORS  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CXT5551  
type is an NPN silicon transistor manufactured by  
the epitaxial planar process, epoxy molded in a  
surface mount package, designed for high  
voltage amplifier applications.  
SOT-89 CASE  
MAXIMUM RATINGS (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
180  
160  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
6.0  
V
I
600  
C
mA  
Power Dissipation  
P
1.2  
W
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
104  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
nA  
µA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=120V  
CBO  
CBO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
=120V, T =100°C  
A
50  
=4.0V  
50  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
180  
160  
6.0  
CBO  
CEO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
V
EBO  
E
V
V
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.15  
0.20  
1.00  
1.00  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =1.0mA  
80  
80  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
=5.0V, I =10mA  
250  
FE  
C
=5.0V, I =50mA  
30  
FE  
C
f
=10V, I =10mA, f=100MHz  
100  
300  
6.0  
200  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
ob  
fe  
h
=10V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
50  
C
NF  
=5.0V, I =200µA, R =10Ω  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
8.0  
dB  
R3 ( 20-December 2001)  
12

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