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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CXK784862Q-50 | ETC |
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| CXK78V4861AQ-33 | ETC |
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| CXK78V4861BQ-33 | ETC |
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Cache Subsystem |
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| CXK78V4861BQ-40 | ETC |
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| CXK79M18C162GB-4 | SONY |
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Standard SRAM, 1MX18, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209 |
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| CXK79M18C162GB-5 | SONY |
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Standard SRAM, 1MX18, 2.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209 |
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| CXK79M18C165GB-33 | SONY |
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Standard SRAM, 1MX18, 1.8ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209 |
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| CXK79M18C165GB-4 | SONY |
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Standard SRAM, 1MX18, 2.1ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209 |
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| CXK79M18C165GB-5 | SONY |
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Standard SRAM, 1MX18, 2.3ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-209 |
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| CXK79M36C160GB | ETC |
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MEMORY-SigmaRAM 16Meg 1x1 HSTL I/O (512K x 36) (27 pages 364K Rev. 7/6/01) |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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