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CSD87335Q3D

更新时间: 2024-01-07 22:04:37
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德州仪器 - TI 开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
23页 850K
描述
采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET 电源块

CSD87335Q3D 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:HLSSOP,
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:1.69
模拟集成电路 - 其他类型:SWITCHING CONTROLLER控制技术:PULSE WIDTH MODULATION
最大输入电压:27 V标称输入电压:12 V
JESD-30 代码:S-PDSO-G8JESD-609代码:e3
长度:3.2 mm湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:HLSSOP
封装形状:SQUARE封装形式:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
座面最大高度:1.5 mm最大供电电流 (Isup):20 mA
表面贴装:YES切换器配置:BUCK
最大切换频率:1500 kHz温度等级:MILITARY
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
宽度:3.2 mmBase Number Matches:1

CSD87335Q3D 数据手册

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