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CSD22206WT

更新时间： 2025-07-15 11:11:55

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关脉冲晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
15页	809K
描述
采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YZF \| 9 \| -55 to 150

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CSD22206WT 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	GRID ARRAY, S-XBGA-B9
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	1.68	其他特性：	ULTRA LOW RESISTANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	8 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.0091 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	440 pF
JESD-30 代码：	S-XBGA-B9	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	9	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	108 A
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

CSD22206WT 数据手册

CSD22206W

ZHCSGA1 –MAY 2017

www.ti.com.cn

特性.......................................................................... 1

器件和文档支持........................................................ 7

6.1 接收文档更新通知 ..................................................... 7

6.2 社区资源.................................................................... 7

6.3 商标........................................................................... 7

6.4 静电放电警告............................................................. 7

6.5 Glossary.................................................................... 7

机械、封装和可订购信息 ......................................... 8

7.1 CSD22206W 封装尺寸.............................................. 8

7.2 建议的焊盘图案 ......................................................... 9

应用范围................................................................... 1

说明.......................................................................... 1

修订历史记录 ........................................................... 2

Specifications......................................................... 3

5.1 Electrical Characteristics........................................... 3

5.2 Thermal Information.................................................. 3

5.3 Typical MOSFET Characteristics.............................. 4

4 修订历史记录

日期

修订版本

注释

2017 年 5 月

初始发行版。

123 4 5 6 7...15

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与CSD22206WT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD23201W10	TI	获取价格	P-Channel NexFETâ¢ Power MOSFET
CSD23201W10_16	TI	获取价格	P-Channel NexFET Power MOSFET
CSD23202W10	TI	获取价格	采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、
CSD23202W10T	TI	获取价格	采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、
CSD23203W	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-
CSD23203WT	TI	获取价格	采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-
CSD23280F3	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
CSD23280F3T	TI	获取价格	采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、
CSD23285F5	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-
CSD23285F5T	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-

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