是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 1.11 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 125 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 25 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 97 A |
最大漏极电流 (ID): | 21 A | 最大漏源导通电阻: | 0.007 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 70 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-N5 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 3.1 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 136 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
CSD16322Q5C | TI |
完全替代 |
DualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD16406Q3 | TI |
类似代替 |
N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD16323Q3 | TI |
类似代替 |
N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD16322Q5C | TI |
获取价格 |
DualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD16323Q3 | TI |
获取价格 |
N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD16323Q3C | TI |
获取价格 |
N-Channel NexFET⢠Power MOSFETs | |
CSD16325Q5 | TI |
获取价格 |
N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD16325Q5_10 | TI |
获取价格 |
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applicati | |
CSD16325Q5C | TI |
获取价格 |
DualCool™ N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD16327Q3 | TI |
获取价格 |
N-Channel NexFET⢠Power MOSFET | |
CSD16327Q3T | TI |
获取价格 |
采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ | |
CSD16340Q3 | TI |
获取价格 |
N-Channel NexFET™ Power MOSFETs | |
CSD16340Q3_11 | TI |
获取价格 |
The NexFET power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optim |