是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.21.00.75 | 风险等级: | 5.55 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 0.7 A |
集电极-发射极最大电压: | 15 V | 配置: | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE): | 400 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 265 |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 250 MHz | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD1306F | CDIL |
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NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR | |
CSD13201W10 | TI |
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N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD13201W10_15 | TI |
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N-Channel NexFET Power MOSFET | |
CSD13202Q2 | TI |
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12V N-Channel NexFET Power MOSFETs | |
CSD13302W | TI |
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采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET | |
CSD13302WT | TI |
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采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET | |
CSD13303W1015 | TI |
获取价格 |
N-Channel NexFET⢠Power MOSFET | |
CSD13306W | TI |
获取价格 |
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexF | |
CSD13306WT | TI |
获取价格 |
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexF | |
CSD13380F3 | TI |
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、1 |