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CSD13302W

更新时间： 2024-11-12 11:11:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
13页 857K
描述
采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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CSD13302W 数据手册

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CSD13302W  
ZHCSDH5 –MARCH 2015  
CSD13302W 12V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管  
(MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
•
•
•
•
•
•
•
超低导通电阻  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
12  
单位  
V
低 Qg 和 Qgd  
漏源电压  
1mm x 1mm 小尺寸封装  
低高度（高度为 0.62mm）  
无铅  
Qg  
栅极电荷总量 (4.5V)  
栅极电荷（栅极到漏极）  
6.0  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
2.1  
VGS = 2.5V  
VGS = 4.5V  
1.0  
21.2  
14.6  
漏源  
导通电阻  
RDS(on)  
VGS(th)  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
阈值电压  
订购信息(1)  
2 应用范围  
器件  
数量  
3000 7 英寸卷带  
250 7 英寸卷带  
介质  
封装  
出货  
•
•
•
电池管理  
负载开关  
电池保护  
CSD13302W  
1.0mm × 1.0mm  
晶圆级封装  
卷带封装  
CSD13302WT  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
最大绝对额定值  
TA = 25°C  
值
12  
单位  
V
这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有  
出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低  
的导通电阻和栅极电荷。  
VDS  
VGS  
ID  
漏源电压  
栅源电压  
±10  
1.6  
29  
V
(1)  
(2)  
持续漏极电流  
脉冲漏极电流  
功耗(3)  
A
IDM  
PD  
A
顶视图  
1.8  
W
TJ，  
Tstg  
运行结温和  
储存温度范围  
-55 至 150  
°C  
(1) 器件在 105ºC 温度下运行  
(2) RθJA = 170°C/W（覆铜面积最小时的典型值），脉宽 ≤  
100μs，占空比 ≤ 1%  
(3) RθJA = 70°C/W（覆铜面积最大时的典型值）  
RDS(on) 与 VGS 间的关系  
栅极电荷  
35  
5
TC = 25°C, I D = 1 A  
TC = 125°C, I D = 1 A  
ID = 1 A  
VDS = 6 V  
4.5  
30  
4
3.5  
3
25  
20  
15  
10  
5
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
1
2
3
4
5
6
7
VGS - Gate-To-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.  
English Data Sheet: SLPS535  
 
 
 
 
 
 
 
1234567...13

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与CSD13302W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSD13302WT TI

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 		采用 1mm x 1mm WLP 封装的单路、17.1mΩ、12V、N 沟道 NexFET
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