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CSD13306WT

更新时间: 2024-11-12 11:13:23
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德州仪器 - TI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 1041K
描述
采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、10.2mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET | YZC | 6 | -55 to 150

CSD13306WT 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:DSBGA-6
Reach Compliance Code:compliant风险等级:1.66
其他特性:ULTRA LOW RESISTANCE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:12 V最大漏极电流 (ID):3.5 A
最大漏源导通电阻:0.0155 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):294 pFJESD-30 代码:R-XBGA-B6
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

CSD13306WT 数据手册

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CSD13306W  
ZHCSDH7 MARCH 2015  
CSD13306W 12V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管  
(MOSFET)  
1 特性  
产品概要  
1
超低导通电阻  
TA = 25°C  
VDS  
典型值  
12  
单位  
V
Qg Qgd  
漏源电压  
1mm x 1.5mm 小尺寸封装  
低高度(高度为 0.62mm)  
无铅  
Qg  
栅极电荷总量 (4.5V)  
栅极电荷(栅极到漏极)  
8.6  
nC  
nC  
mΩ  
mΩ  
V
Qgd  
3.0  
VGS = 2.5V  
VGS = 4.5V  
1.0  
12.9  
8.8  
RDS(on)  
VGS(th)  
漏源导通电阻  
电压阈值  
符合 RoHS 环保标准  
无卤素  
订购信息(1)  
2 应用范围  
器件  
数量  
3000 7 英寸卷带  
250 7 英寸卷带  
介质  
封装  
出货  
卷带封装  
电池管理  
负载开关  
电池保护  
CSD13306W  
1.0mm × 1.5mm  
晶圆级封装  
CSD13306WT  
(1) 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。  
3 说明  
最大绝对额定值  
TA = 25°C  
12  
单位  
V
这款 8.8mΩ12V N 通道器件设计用于在超薄且具有  
出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最  
低的导通电阻和栅极电荷。  
VDS  
VGS  
ID  
漏源电压  
栅源电压  
±10  
3.5  
44  
V
持续漏极电流(1)  
A
(2)  
IDM  
PD  
脉冲漏极电流  
功率耗散(3)  
A
顶视图  
1.9  
W
Tstg  
TJ  
储存温度范围  
工作结温范围  
-55 150  
°C  
G
D
S
S
(1) 器件在 105ºC 温度下运行  
(2) RθJA = 230°C/W(覆铜面积最小时的典型值),脉宽  
100μs,占空比 1%  
(3) RθJA = 65°C/W(覆铜面积最大时的典型值)  
D
D
RDS(on) VGS 间的关系  
栅极电荷  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
4.5  
TC = 25°C, I D = 1.5 A  
TC = 125°C, I D = 1.5 A  
ID = 1.5 A  
VDS = 6 V  
4
3.5  
3
2.5  
2
1.5  
1
0.5  
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
VGS - Gate-To-Source Voltage (V)  
Qg - Gate Charge (nC)  
D007  
D004  
1
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.  
English Data Sheet: SLPS537  
 
 
 
 
 
 
 

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