是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | DSBGA-6 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 1.66 |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 12 V | 最大漏极电流 (ID): | 3.5 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0155 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 294 pF | JESD-30 代码: | R-XBGA-B6 |
JESD-609代码: | e1 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CSD13380F3 | TI |
获取价格 |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、1 | |
CSD13380F3T | TI |
获取价格 |
采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、1 | |
CSD13381F4 | TI |
获取价格 |
CSD13381F4, 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET | |
CSD13381F4R | TI |
获取价格 |
12-V, N-Channel NexFET? Power MOSFET 3-PICOSTAR -55 to 150 | |
CSD13381F4T | TI |
获取价格 |
12 V, N-Channel FemtoFET⢠MOSFET | |
CSD13383F4 | TI |
获取价格 |
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V | |
CSD13383F4T | TI |
获取价格 |
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V | |
CSD13385F5 | TI |
获取价格 |
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、1 | |
CSD13385F5T | TI |
获取价格 |
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、1 | |
CSD-1401MC |
获取价格 |
14-Bit, Fast-Settling Correlated Double Sampling Circuit |