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CSD13385F5T

更新时间： 2024-11-12 11:10:35

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1827K
描述
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJK \| 3 \| -55 to 150

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CSD13385F5T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	8 weeks	风险等级：	1.65
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	38 pF
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD13385F5T 数据手册

CSD13385F5

ZHCSFM3B –OCTOBER 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD13385F5 12V N 沟道FemtoFET™ MOSFET

1 特性

产品概要

• 低导通电阻

• 低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

T_A= 25°C

典型值

单位

V_DS

Q_g

漏源电压

3.9

栅极电荷总量(4.5V)

– 1.53mm x 0.77mm

• 薄型封装

Q_gd

0.39

栅极电荷（栅极到漏极）

V_GS= 1.8V

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

R_DS(on)

V_GS= 2.5V

V_GS= 4.5V

mΩ

漏源导通电阻

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

V_GS(th)

0.8

阈值电压

器件信息⁽¹⁾

介质

器件

数量

封装

配送

• 符合RoHS

CSD13385F5

3000

Femto

1.53mm × 0.77mm

卷带包

装

7 英寸卷带

2 应用

CSD13385F5T

250

无引线SMD

• 针对工业负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

3 说明

绝对最大额定值

该 12V、15mΩ N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术经

过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移

动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

持续漏极电流⁽²⁾

脉冲漏极电流^{(1) (3)}

功率耗散⁽¹⁾

4.3

7.1

0.5

1.4

I_D

I_DM

P_D

0.36 mm

功率耗散⁽²⁾

人体放电模型(HBM)

带电器件模型(CDM)

V_(ESD)

°C

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温、

贮存温度

0.77 mm

1.53 mm

(1)

(2)

_θJA= 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。

_θJA= 90°C/W（覆铜面积最大时的典型值）。

(3) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

典型器件尺寸

顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS612

12 3 4 5 6 7...14

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CSD13385F5T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD13385F5	TI	完全替代	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、1

与CSD13385F5T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD-1401MC		获取价格	14-Bit, Fast-Settling Correlated Double Sampling Circuit
CSD1426F	CDIL	获取价格	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
CSD1468	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1468Q	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1468R	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1468S	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1489	CDIL	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
CSD1489A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92
CSD1489B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92
CSD1489C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92

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