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CSD13383F4T

更新时间： 2024-11-12 11:14:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
15页	1738K
描述
采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET \| YJC \| 3 \| -55 to 150

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CSD13383F4T 数据手册

CSD13383F4

ZHCSD46C –DECEMBER 2014 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD13383F4 12V N 沟道FemtoFET™ MOSFET

产品概要

1 特性

T_A= 25°C

V_DS

典型值

单位

漏源电压

• 低导通电阻

• 超低Q_g和Q_gd

Q_g

2.0

总栅极电荷(4.5V)

Q_gd

0.6

• 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）

– 1.0mm × 0.6mm

• 薄型封装

栅极电荷（栅极到漏极）

漏源导通电阻

V_GS= 2.5V

V_GS= 4.5V

1.0

R_DS(on)

V_GS(th)

mΩ

阈值电压

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

订购信息

– 额定值> 2kV 人体放电模型(HBM)

– 额定值> 2kV 充电器件模型(CDM)

• 无铅且无卤素

器件⁽¹⁾

数量

3000

250

介质

封装

配送

卷带包装

CSD13383F4

CSD13383F4T

Femto (0402) 1.0mm ×

0.6mm 无引线SMD

7 英寸卷

带

• 符合RoHS

2 应用

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 针对负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

• 单节电池应用

绝对最大额定值

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

• 手持式和移动类应用

漏源电压

V_GS

I_D

±10

栅源电压

3 说明

持续漏极电流⁽¹⁾

脉冲漏极电流^{(1) (2)}

持续栅极钳位电流

脉冲栅极钳位电流^{(1) (2)}

功率耗散

2.9

18.5

该 37mΩ、12V N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术经

过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移

动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少60%。

I_DM

I_G

250

500

P_D

人体放电模型(HBM)

充电器件模型(CDM)

ESD

等级

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温

贮存温度

°C

雪崩能量，单脉冲I_D= 6.7，

L = 0.1mH，R_G= 25Ω

E_AS

2.2

0.36 mm

(1) 典型R_θJA= 250°C/W。

(2) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%.

1.00 mm

0.60 mm

图3-1. 典型器件尺寸

图3-2. 顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS517

12 3 4 5 6 7...15

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CSD13383F4T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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