Datasheet > CSD13385F5

CSD13385F5

更新时间： 2024-11-12 11:10:35

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅开关晶体管栅极
页数	文件大小	规格书
14页	1827K
描述
采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSD13385F5 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.66
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	0.023 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	38 pF
JESD-30 代码：	R-XBCC-N3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

CSD13385F5 数据手册

CSD13385F5

ZHCSFM3B –OCTOBER 2016 –REVISED FEBRUARY 2022

CSD13385F5 12V N 沟道FemtoFET™ MOSFET

1 特性

产品概要

• 低导通电阻

• 低Q_g和Q_gd

• 超小尺寸

T_A= 25°C

典型值

单位

V_DS

Q_g

漏源电压

3.9

栅极电荷总量(4.5V)

– 1.53mm x 0.77mm

• 薄型封装

Q_gd

0.39

栅极电荷（栅极到漏极）

V_GS= 1.8V

– 厚度为0.36mm

• 集成型ESD 保护二极管

R_DS(on)

V_GS= 2.5V

V_GS= 4.5V

mΩ

漏源导通电阻

– 额定值> 4kV HBM

– 额定值> 2kV CDM

• 无铅且无卤素

V_GS(th)

0.8

阈值电压

器件信息⁽¹⁾

介质

器件

数量

封装

配送

• 符合RoHS

CSD13385F5

3000

Femto

1.53mm × 0.77mm

卷带包

装

7 英寸卷带

2 应用

CSD13385F5T

250

无引线SMD

• 针对工业负载开关应用进行了优化

• 针对通用开关应用进行了优化

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

3 说明

绝对最大额定值

该 12V、15mΩ N 沟道 FemtoFET^™MOSFET 技术经

过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移

动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号

MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

T_A= 25°C

值

单位

V_DS

V_GS

漏源电压

栅源电压

持续漏极电流⁽¹⁾

持续漏极电流⁽²⁾

脉冲漏极电流^{(1) (3)}

功率耗散⁽¹⁾

4.3

7.1

0.5

1.4

I_D

I_DM

P_D

0.36 mm

功率耗散⁽²⁾

人体放电模型(HBM)

带电器件模型(CDM)

V_(ESD)

°C

T_J、

T_stg

–55 至

150

工作结温、

贮存温度

0.77 mm

1.53 mm

(1)

(2)

_θJA= 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。

_θJA= 90°C/W（覆铜面积最大时的典型值）。

(3) 脉冲持续时间≤100μs，占空比≤1%。

典型器件尺寸

顶视图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLPS612

12 3 4 5 6 7...14

中文翻译

下载PDF

CSD13385F5 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
CSD13385F5T	TI	完全替代	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、1
CSD13383F4	TI	类似代替	采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、44mΩ、12V
CSD13381F4	TI	类似代替	CSD13381F4, 12 V N-Channel FemtoFET MOSFET

与CSD13385F5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSD13385F5T	TI	获取价格	采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19mΩ、1
CSD-1401MC		获取价格	14-Bit, Fast-Settling Correlated Double Sampling Circuit
CSD1426F	CDIL	获取价格	TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL
CSD1468	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1468Q	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1468R	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1468S	CDIL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, PLASTIC, TO-92,
CSD1489	CDIL	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
CSD1489A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92
CSD1489B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 16V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-92

与CSD13385F5相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD13385F5

CSD13385F5 技术参数

CSD13385F5 数据手册

CSD13385F5 替代型号

与CSD13385F5相关器件

与CSD13385F5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSD13385F5

CSD13385F5 技术参数

CSD13385F5 数据手册

CSD13385F5 替代型号

与CSD13385F5相关器件

与CSD13385F5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？