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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.67 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 30 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CSB1086N | CDIL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| CSB1086P | CDIL |
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Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
|
| CSB1086Q | CDIL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plast |
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| CSB1086R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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| CSB10C1-8.999MHZ | CALIBER |
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Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 8.999MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN |
|
| CSB10E1-9.000MHZ | CALIBER |
获取价格 |
Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom, HC49/US, SMD, 2 PIN |
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| CSB11-010.0M | CONNOR-WINFIELD |
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Min, 20MHz Max, 10MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
|
| CSB11-012.688575M | CONNOR-WINFIELD |
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LVCMOS Output Clock Oscillator |
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| CSB11-012.688656M | CONNOR-WINFIELD |
获取价格 |
LVCMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Min, 20MHz Max, 12.688656MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HE |
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| CSB110-886C | ETC |
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Supports CRT and LVDS (24-bit single channel) |
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