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CSB1162B

更新时间: 2024-11-08 14:48:39
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CDIL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 530K
描述
Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

CSB1162B 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):2.5 A
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):180 MHz
Base Number Matches:1

CSB1162B 数据手册

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