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CSB1086P

更新时间: 2024-09-21 19:52:07
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CDIL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 526K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

CSB1086P 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.67
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:120 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):82JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):10 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):50 MHzBase Number Matches:1

CSB1086P 数据手册

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LVCMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Min, 20MHz Max, 12.688656MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HE
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