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CSB1086N

更新时间: 2024-09-21 19:52:07
品牌 Logo 应用领域
CDIL 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 526K
描述
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin

CSB1086N 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.75
风险等级:5.23外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):1.5 A集电极-发射极最大电压:120 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):56
JEDEC-95代码:TO-126JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):10 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):50 MHz
Base Number Matches:1

CSB1086N 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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LVCMOS Output Clock Oscillator, 10MHz Min, 20MHz Max, 10MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HERMETIC
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