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CS19-12HO1C PDF预览

CS19-12HO1C

更新时间： 2024-11-20 20:06:19
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
2页 487K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 13000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, PLASTIC, ISOPLUS220, 3 PIN

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CS19-12HO1C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：ISOPLUS包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.67
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：25 mA
最大直流栅极触发电压：2.5 V最大维持电流：50 mA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
最大漏电流：1 mA通态非重复峰值电流：105 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：13000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：35 A断态重复峰值电压：1200 V
重复峰值反向电压：1200 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

CS19-12HO1C 数据手册

 浏览型号CS19-12HO1C的Datasheet PDF文件第2页 
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION  
CS 19  
VRRM  
IT(RMS) = 35 A  
IT(AV)M = 13 A  
= 800 - 1200 V  
Phase Control Thyristor  
ISOPLUS220TM  
Electrically Isolated Back Surface  
ISOPLUS 220TM  
VRSM  
VDSM  
VRRM  
VDRM  
Type  
A
C
V
V
800  
1200 1200  
800  
CS 19-08ho1C  
CS 19-12ho1C  
G
G
D
S
Isolated back surface*  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
Features  
IT(RMS)  
IT(AV)M  
T
= TVJM  
35  
13  
A
A
TVCJ= 85°C; 180° sine  
ITSM  
T
= 45°C;  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
100  
105  
A
A
z
VVRJ= 0 V  
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
T
= TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
85  
90  
A
A
VVRJ= 0 V  
I2t  
T
= 45°C  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
50  
45  
A2s  
z
Low cathode-to-tab capacitance (15pF  
VVRJ= 0 V  
A2s  
typical)  
z
A2s  
A2s  
Planar passivated chips  
T
= TVJM  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
36  
33  
VVRJ= 0 V  
z
Epoxy meets UL 94V-0  
z
High performance glass  
(di/dt)cr  
TVJ = TVJM  
repetitive, IT = 20 A  
100  
A/µs  
passivated chip  
z
f = 50Hz, t =200µs  
Long-term stability of leakage  
VD = 2/3 V P  
current and blocking voltage  
IG =0.08 ADRM non repetitive, IT = IT(AV)M  
diG/dt = 0.08 A/µs  
500  
500  
A/µs  
V/µs  
Applications  
(dv/dt)cr  
PGM  
TVJ = TVJM  
;
V
= 2/3 VDRM  
RGK = ∞; method D1R(linear voltage rise)  
Motor control  
z
z
Power converter  
TVJ = TVJM  
IT = IT(AV)M  
t =  
tPP =  
30 µs  
300 µs  
5
2.5  
0.5  
W
W
W
z
AC power controller  
z
Light and temperature control  
PGAV  
VRGM  
z
SCR for inrush current limiting  
in power supplies or AC drive  
10  
V
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+125  
125  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
-40...+125  
z
Space and weight savings  
z
Simple mounting  
VISOL  
50/60 Hz RMS; IISOL ≤ 1 mA  
2500  
V~  
TL  
FC  
1.6mm from case; 10s  
Mounting force  
260  
°C  
11...65 / 2.4...11  
N / lb  
Weight  
2
g
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS98789A(8/03)  
12

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CS19-12HO1C 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CS19-12HO1 IXYS

完全替代

 Phase Control Thyristors

与CS19-12HO1C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CS19-12HO1S IXYS

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CS19-12HO1S-TRL LITTELFUSE

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 		Silicon Controlled Rectifier,
CS19-12HO1S-TUB LITTELFUSE

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CS19201 AMCC

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