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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 187K |  |
| 描述 | ||
| 高效SCR系列提供采用各种封装的晶闸管，具有改进的正向电压特性和高达1200V的击穿电压。 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.32 | 外壳连接： | ANODE |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 28 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1.5 V |
| 最大维持电流： | 50 mA | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大漏电流： | 5 mA | 通态非重复峰值电流： | 180 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最大通态电流： | 19000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 29 A | 断态重复峰值电压： | 1200 V |
| 重复峰值反向电压： | 1200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CS19-12HO1S-TRL | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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| CS19-12HO1S-TUB | LITTELFUSE |
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Silicon Controlled Rectifier, |
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| CS19201 | AMCC |
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STS-192 SONET/SDH Interleaver/Disinterleaver |
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| CS19202CBI30 | AMCC |
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STS-192 SONET/SDH FRAMER AND POS/ATM MAPPER |
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| CS19203CBI20 | AMCC |
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Variable Rate Digital Wrapper Framer/Deframer, PM, and FEC Device |
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| CS19204CBI12 | AMCC |
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SONET/SDH STS-192/STM-64 MUX/DEMUX with Pointer Processor |
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| CS19205CBI | AMCC |
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10 Gigabit Ethernet MAC and PHY/OC-192c POS Framer/Mapper |
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| CS19208CBI | AMCC |
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OC-192/48/12/3 DW/FEC/PM and ASYNC Mapper Device |
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| CS19223CBI11 | AMCC |
获取价格 |
SONET/SDH STS-192/STM-64 MUX/DEMUX with Pointer Processor |
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| CS19227PBI | AMCC |
获取价格 |
10GE & OC192/48/12/3 DW/FEC/PM and AsyncMap Device with Strong FEC |
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