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CP353V

更新时间： 2024-11-06 03:26:23

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1页	71K
描述
Small Signal Transistors NPN - High Current Transistor Chip

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CP353V 数据手册

PROCESS CP353V

Small Signal Transistors

NPN - High Current Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

66 x 66 MILS

7.1 MILS

Die Size

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter 1 Bonding Pad Area

Emitter 2 Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.9 x 7.9 MILS

7.9 x 9.5 MILS

Al-Si 30,000Å

12,000Å

GEOMETRY

GROSS DIER PER 5 INCH WAFER

3,878

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CZT853

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R0 (23- September 2005)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP353V_10	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors NPN - High Current Transistor Chip
CP353V-CZT853	CENTRAL	获取价格	100V,6A,3W Bare die,65.748 X 65.748 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP357X	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
CP357X-CMLDM3737	CENTRAL	获取价格	540mA,20V Bare die,22.000 X 17.000 mils,MOSFET
CP359R	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
CP360	RFHIC	获取价格	Directional Coupler
CP3601	ETC	获取价格	Analog IC
CP3602	ETC	获取价格	Analog IC
CP3603	ETC	获取价格	Analog IC
CP3604	ETC	获取价格	Analog IC