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CP353V_10

更新时间： 2024-11-06 09:30:07

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CENTRAL		晶体晶体管
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2页	410K
描述
Small Signal Transistors NPN - High Current Transistor Chip

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CP353V_10 数据手册

PROCESS CP353V

Small Signal Transistors

NPN - High Current Transistor Chip

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

66 x 66 MILS

Die Thickness

7.1 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter 1 Bonding Pad Area

Emitter 2 Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.9 x 7.9 MILS

7.9 x 9.5 MILS

Al-Si - 30,000Å

Ti/Ni/Ag - 2,000Å/3,000Å/20,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 5 INCH WAFER

3,878

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CZT853

R2 (22-March 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP353V-CZT853	CENTRAL	获取价格	100V,6A,3W Bare die,65.748 X 65.748 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP357X	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
CP357X-CMLDM3737	CENTRAL	获取价格	540mA,20V Bare die,22.000 X 17.000 mils,MOSFET
CP359R	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
CP360	RFHIC	获取价格	Directional Coupler
CP3601	ETC	获取价格	Analog IC
CP3602	ETC	获取价格	Analog IC
CP3603	ETC	获取价格	Analog IC
CP3604	ETC	获取价格	Analog IC
CP3605	ETC	获取价格	Analog IC