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CP359R

更新时间： 2024-11-21 09:30:07
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描述
Small Signal MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip

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CP359R 数据手册

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PROCESS CP359R  
Small Signal MOSFET  
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip  
PROCESS DETAILS  
Die Size  
9.1 x 9.1 MILS  
Die Thickness  
3.9 MILS  
Gate Bonding Pad Area  
Source Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
2.5 MILS DIAMETER  
3.9 x 3.9 MILS  
Al-Si - 30,000Å  
Au - 12,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 6 INCH WAFER  
290,000  
PRINCIPAL DEVICE TYPE  
CMRDM3590  
R0 (13-May 2010)  
www.centralsemi.com  
12

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