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CP361R

更新时间： 2024-11-25 09:30:07
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描述
Small Signal MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip

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CP361R 数据手册

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PROCESS CP361R  
Small Signal MOSFET  
N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip  
PROCESS DETAILS  
Die Size  
14.2 x 14.2 MILS  
Die Thickness  
3.9 MILS  
Gate Bonding Pad Area  
Source Bonding Pad Area  
Top Side Metalization  
Back Side Metalization  
3.94 x 3.94 MILS  
3.94 x 7.08 MILS  
Al-Si - 30,000Å  
Au - 12,000Å  
GEOMETRY  
GROSS DIE PER 6 INCH WAFER  
123,000  
PRINCIPAL DEVICE TYPES  
CEDM7001  
CMNDM7001  
R1 (2-September 2010)  
www.centralsemi.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CP361R-CEDM7001 CENTRAL

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