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CP357X

更新时间： 2024-09-16 09:30:07

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CENTRAL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	738K
描述
Small Signal MOSFET Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip

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CP357X 数据手册

PROCESS CP357X

Small Signal MOSFET Transistor

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip

PROCESS DETAILS

Die Size

22 x 17 MILS

Die Thickness

5.9 MILS

Gate Bonding Pad Area

Source Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

3.9 x 3.9 MILS

14 x 9 MILS

Al-Si - 30,000Å

Au - 12,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 6 INCH WAFER

63,570

PRINCIPAL DEVICE TYPE

CMLDM3737

R0 (17-November 2010)

www.centralsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP357X-CMLDM3737	CENTRAL	获取价格	540mA,20V Bare die,22.000 X 17.000 mils,MOSFET
CP359R	CENTRAL	获取价格	Small Signal MOSFET N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
CP360	RFHIC	获取价格	Directional Coupler
CP3601	ETC	获取价格	Analog IC
CP3602	ETC	获取价格	Analog IC
CP3603	ETC	获取价格	Analog IC
CP3604	ETC	获取价格	Analog IC
CP3605	ETC	获取价格	Analog IC
CP3606	ETC	获取价格	Analog IC
CP3607	ETC	获取价格	Analog IC