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CP314-MPS650-WS

更新时间： 2024-10-29 05:09:27

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Transistor

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CP314-MPS650-WS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

CP314-MPS650-WS 数据手册

PROCESS CP314

Small Signal Transistor

NPN - High Current Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

40 x 40 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.9 x 8.7 MILS

9.0 x 14 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

6,936

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CBCP68

CBCX68

CZT651

MPS650

MPS651

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R3 (8-October 2008)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP314-MPS651	CENTRAL	获取价格	60V,2A,625mW Bare die,40.160 X 40.160 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP314-MPS651-CG	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-MPS651-CM	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-MPS651-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-MPS651-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314V-MPS650	CENTRAL	获取价格	40V,2A,625mW Bare die,40.160 X 40.160 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
CP314V-MPS651	CENTRAL	获取价格	60V,2A,625mW Bare die,40.160 X 40.160 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)
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