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CP314

更新时间： 2024-10-28 03:26:23

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描述
Small Signal Transistor NPN - High Current Transistor Chip

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CP314 数据手册

PROCESS CP314

Small Signal Transistor

NPN - High Current Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

Die Thickness

40 x 40 MILS

9.0 MILS

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.9 x 8.7 MILS

9.0 x 14 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

7,070

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CBCP68

CBCX68

CZT651

MPS650

MPS651

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R2 (1-August 2002)

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