Datasheet > CP314-CBCP68-CTO

CP314-CBCP68-CTO

更新时间： 2024-10-29 09:08:27

品牌	Logo	应用领域
CENTRAL		/
页数	文件大小	规格书
2页	223K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CP314-CBCP68-CTO 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

CP314-CBCP68-CTO 数据手册

PROCESS CP314

Small Signal Transistor

NPN - High Current Transistor Chip

Central

Semiconductor Corp.

PROCESS DETAILS

Process

EPITAXIAL PLANAR

Die Size

40 x 40 MILS

9.0 MILS

Die Thickness

Base Bonding Pad Area

Emitter Bonding Pad Area

Top Side Metalization

Back Side Metalization

7.9 x 8.7 MILS

9.0 x 14 MILS

Al - 30,000Å

Au - 18,000Å

GEOMETRY

GROSS DIE PER 4 INCH WAFER

6,936

PRINCIPAL DEVICE TYPES

CBCP68

CBCX68

CZT651

MPS650

MPS651

BACKSIDE COLLECTOR

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110

Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

R3 (8-October 2008)

中文翻译

下载PDF

与CP314-CBCP68-CTO相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CP314-CBCP68-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CBCP68-WS	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CBCX68-CG	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CBCX68-CTO	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CBCX68-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CZT651-CG	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CZT651-CT	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CZT651-CTO	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-CZT651-WN	CENTRAL	获取价格	Transistor
CP314-MPS650	CENTRAL	获取价格	40V,2A,625mW Bare die,40.160 X 40.160 mils,Transistor-Bipolar Power (>1A)