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CNA1011K

更新时间： 2024-11-08 21:55:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电开关插槽式开关输出元件
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Transmissive Photosensors (Photo lnterrupters)

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CNA1011K 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：PISTR104-012, 4 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：30 V配置：SINGLE
最大暗电源：200 nA最大正向电流：0.05 A
功能数量：1标称通态集电极电流：0.3 mA
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-25 °C
光电设备类型：TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH标称槽宽：5 mm
Base Number Matches：1

CNA1011K 数据手册

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Transmissive Photosensors (Photo lnterrupters)  
CNA1011K (ON1113)  
Photo lnterrupter  
For contactless SW, object detection  
■ Overview  
Unit: mm  
Mark for indicating  
LED side φ1.5  
CNA1011K is a small size photocoupler package consisting of a  
high efficiency GaAs infrared light emitting diode used as the light  
emitting element, and a high sensitivity phototransistor is used as the  
light detecting element.  
Device  
center  
1ꢀ.6  
19.2  
7.0 0.2  
5.0 0.2  
0.4  
1ꢀ.0 0.15  
0.45 0.15  
A
■ Features  
• Highly precise position detection: 0.3 mm  
• Wide gap between emitting and detecting elements, suitable for  
thick plate detection  
• Fast response: tr , tf = 6 µs (typ.)  
• Small output current variation against change in temperature  
2-φꢀ.2 0.2  
A'  
(2.54)  
4- 0.45  
2-2.0  
(10.1)  
SEC. A-A'  
1: Anode  
2
1
ꢀ
2: Cathode  
3: Collector  
4: Emitter  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Input (Light Reverse voltage  
emitting diode) Forward current  
Power dissipation *  
Symbol Rating  
Unit  
V
4
PISTR104-012 Package  
VR  
IF  
3
(Note) 1. Tolerance unless otherwise specified is 0.3  
2. ( ) Dimension is reference  
50  
75  
30  
mA  
mW  
V
1
PD  
Output (Photo Collector-emitter voltage VCEO  
transistor)  
(Base open)  
Emitter-collector voltage VECO  
(Base open)  
5
V
Collector current  
Collector power dissipation *  
IC  
20  
100  
mA  
mW  
°C  
Note) 1: Input power derating ratio is 1.0 mW/°C at  
*
2
PC  
Ta ≥ 25°C.  
Temperature Operating ambient temperature Topr  
Storage temperature  
−25 to +85  
2: Output power derating ratio is 1.34 mW/°C  
at Ta ≥ 25°C.  
*
Tstg −30 to +100  
°C  
■ Electrical-Optical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
1.5  
10  
Unit  
V
Input  
Forward voltage  
VF  
IR  
IF = 50 mA  
VR = 3 V  
1.2  
characteristics Reverse current  
µA  
pF  
Terminal capacitance  
Ct  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
VCE = 10 V  
35  
5
200  
nA  
Output  
Collector-emitter cutoff current ICEO  
(Base open)  
characteristics  
capacitance  
CC  
IC  
VCE = 10 V, f = 1 MHz  
pF  
mA  
V
Collector-emitter  
Transfer  
Collector current  
VCC = 10 V, IF = 20 mA, RL = 100 Ω  
0.3  
characteristics  
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IF = 50 mA, IC = 0.1 mA  
0.5  
Rise time *  
Fall time *  
tr  
tf  
VCC = 10 V, IC = 1 mA  
RL = 100 Ω  
6
6
µs  
µs  
Note) 1. Input and output are practiced by electricity.  
2. This device is designed be disregarded radiation.  
3. : Switching time measurement circuit  
*
Sig. in  
VCC  
tr : Rise time  
tf : Fall time  
(Input pulse)  
90%  
10%  
(Output pulse)  
Sig. out  
RL  
50 Ω  
tr  
tf  
Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.  
Publication date: April 2004  
SHG00018BED  
1
123

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