CNA1312K

更新时间： 2024-11-08 22:28:43

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松下 - PANASONIC		光电开关插槽式开关输出元件
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Transmissive Photosensors(Photo Interrupters)

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CNA1312K 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	2.60 X 4.90 MM, 3.30 MM HEIGHT, ULTRA MINIATURE, PLASTIC, PISSR104-002, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	35 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	100 nA	最大正向电流：	0.05 A
功能数量：	1	标称通态集电极电流：	0.04 mA
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH	标称槽宽：	2 mm
Base Number Matches：	1

CNA1312K 数据手册

Transmissive Photosensors (Photo Interrupters)

CNA1312K

Photo Interrupter

Unit : mm

Slit width(0.4)

b side

a side

For contactless SW, object detection

With gate

a side

(1.5)

or b side

(1.8)

Overview

Optical

center

2.6

4.9±0.3

1.45 2.0±0.3 1.45

SEC. A-A'

Slit width

CNA1312K is an ultraminiature, highly reliable transmissive

photosensor in which a high efficiency GaAs infrared light emitting

diode chip and a high sensitivity Si phototransistor chip are integrated

in a double molded resin package.

(C0.5)

(0.2)

+0.2

2-0.5

2-0.2

–0.1

2-0.4

*2.0

A' B'

*3.9

Features

SEC. B-B'

Ultraminiature : 2.6 × 4.9 mm (height : 3.3 mm)

Highly precise position detection : 0.1 mm

Gap width : 2.0 mm

1: Anode 3: Collecter

2: Cathode 4: Emitter

Pin connection

(Note)

1. Tolerance unless otherwise specified is ±0.2

2. ( ) Dimension is reference

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25˚C)

3. * is dimension at the root of leads

Parameter

Symbol Ratings Unit

Reverse voltage (DC)

Forward current (DC)

Power dissipation

Collector current

V_R

^*1Input power derating ratio is

1.0 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.

^*2Output power derating ratio is

Input (Light

I_F

emitting diode)

P_D

I_C

1.0 mW/˚C at Ta ≥ 25˚C.

^*3Soldering time is within 5 seconds.

Collector to emitter voltage V_CEO

Output (Photo

transistor)

Emitter to collector voltage V_ECO

Collector power dissipation P_C

Operating ambient temperature

T_opr–25 to +85 ˚C

more than 1mm

Temperature Storage temperature

Soldering temperature

T_stg–40 to +100 ˚C

T_sol

260

˚C

Soldering bath

Electrical Characteristics (Ta = 25˚C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max Unit

Forward voltage (DC)

Reverse current (DC)

V_FI_F= 20mA

I_RV_R= 3V

1.2

1.4

Input

characteristics

µA

Output characteristics Collector cutoff current

I_CEOV_CE= 20V

100

400

0.4

Collector current

I_CV_CE= 5V, I_F= 5mA

Transfer

characteristics

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)I_F= 10mA, I_C= 40µA

Response time

t_r, t_f^*V_CC= 5V, I_C= 0.1mA, R_L= 1000Ω

µs

^*Switching time measurement circuit

Sig.IN

V_CC

t_d: Delay time

(Input pulse)

t_r: Rise time (Time required for the collector current to increase

from 10% to 90% of its final value)

90%

10%

Sig.OUT

(Output pulse)

t_d

t_f: Fall time (Time required for the collector current to decrease

from 90% to 10% of its initial value)

50Ω

R_L

t_r

t_f

12 3

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