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CMPTH10 PDF预览

CMPTH10

更新时间： 2024-10-31 22:50:35
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
NPN SILICON RF TRANSISTOR

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CMPTH10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.27Is Samacsys：N
其他特性：LOW NOISE基于收集器的最大容量：0.7 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：650 MHzBase Number Matches：1

CMPTH10 数据手册

 浏览型号CMPTH10的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
CMPTH10  
NPN SILICON RF TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The  
CENTRAL  
SEMICONDUCTOR  
CMPTH10typeisanNPNsiliconRFtransistor  
manufactured by the epitaxial planar process,  
epoxy molded in a surface mount package,  
designedforlownoiseUHF/VHFamplifierand  
high output oscillator applications.  
SOT-23 CASE  
Marking code is C3E.  
o
MAXIMUM RATINGS (T =25 C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Power Dissipation  
V
V
V
P
30  
25  
3.0  
350  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
D
mW  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
o
o
T ,T  
-65 to +150  
357  
C
C/W  
J stg  
Θ
JA  
o
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25 C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
100  
100  
UNITS  
I
I
V
V
=25V  
=2.0V  
nA  
nA  
V
V
V
CBO  
EBO  
CBO  
CEO  
EBO  
CE(SAT)  
BE(ON)  
FE  
T
cb  
CB  
EB  
BV  
BV  
BV  
V
V
h
f
C
I =100µA  
30  
25  
3.0  
C
I =1.0mA  
C
I =10µA  
E
I =4.0mA, I =0.4mA  
0.50  
0.95  
V
V
C
B
B
V
=10V, I =4.0mA  
CE  
CE  
CE  
CB  
CB  
CB  
V
V
V
V
V
=10V, I =4.0mA  
C
60  
650  
=10V, I =4.0mA, f=100MHz  
MHz  
pF  
pF  
C
=10V, I =0, f=1.0MHz  
E
0.70  
0.65  
9.0  
C
rb’C  
=10V, I =0, f=1.0MHz  
rb  
E
=10V, I =4.0mA, f=31.8MHz  
C
ps  
c
208  
12

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