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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 基于收集器的最大容量： | 0.7 pF | 集电极-发射极最大电压： | 25 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 650 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CMPTH10TR13LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, |
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| CMPTH10TRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, |
|
| CMPTH10TRPBFREE | CENTRAL |
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暂无描述 |
|
| CMPTH11 | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor |
|
| CMPTH81 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP SILICON RF TRANSISTOR |
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| CMPTH81_10 | CENTRAL |
获取价格 |
SURFACE MOUNT PNP SILICON RF TRANSISTOR |
|
| CMPTH81BK | CENTRAL |
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, PLASTIC PACKAGE-3 |
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| CMPTH81BKLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Transistor |
|
| CMPTH81PBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| CMPTH81TIN/LEAD | CENTRAL |
获取价格 |
RF Small Signal Bipolar Transistor, |
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