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CMPTH10TRLEADFREE

更新时间: 2024-11-01 15:29:43
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 30K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

CMPTH10TRLEADFREE 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.83其他特性:LOW NOISE
基于收集器的最大容量:0.7 pF集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):60
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.35 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):650 MHzVCEsat-Max:0.5 V
Base Number Matches:1

CMPTH10TRLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMPTH10TRLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 

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