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CMPTA94 PDF预览

CMPTA94

更新时间： 2024-02-09 17:14:16
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CENTRAL 晶体晶体管高压
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2页 123K
描述
SURFACE MOUNT PNP HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTOR

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CMPTA94 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.61
最大集电极电流 (IC)：0.3 A配置：Single
最小直流电流增益 (hFE)：20最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

CMPTA94 数据手册

 浏览型号CMPTA94的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
CMPTA94  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT PNP  
HIGH VOLTAGE  
SILICON TRANSISTOR  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA94  
type is a surface mount epoxy molded PNP sili-  
con planar epitaxial transistors designed for  
extremely high voltage applications.  
MARKING CODE: C94  
SOT-23 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
400  
400  
6.0  
300  
350  
CBO  
CEO  
EBO  
V
V
mA  
mW  
I
C
Power Dissipation  
P
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
J
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNITS  
nA  
nA  
nA  
V
I
I
I
V
V
V
=350V  
=350V  
=4.0V  
100  
500  
100  
CBO  
CES  
EBO  
CBO  
CES  
CEO  
EBO  
CB  
CE  
BE  
BV  
BV  
BV  
BV  
V
V
V
V
h
h
h
h
I =100µA  
400  
400  
400  
6.0  
C
I =100µA  
V
C
I =1.0mA  
V
C
I =10µA  
V
E
I =1.0mA, I =0.1mA  
0.40  
0.50  
0.75  
0.75  
V
CE(SAT)  
CE(SAT)  
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
I =50mA, I =5.0mA  
V
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
V
=10V, I =1.0mA  
40  
50  
45  
20  
20  
CE  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
EB  
C
V
V
V
V
V
V
=10V, I =10mA  
200  
FE  
C
=10V, I =50mA  
FE  
C
=10V, I =100mA  
FE  
C
f
C
C
=10V, I =10mA, f=10MHz  
MHz  
pF  
pF  
T
C
=20V, I =0, f=1.0MHz  
7.0  
130  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
R2 (13-November 2002)  
12

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CMPTA94 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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